在 的实验中，我们推断出写NorFlash失败的原因是在 flash_erase() 函数中执行擦除操作时执行了 L88 或 L92 处的 goto outahere; 直接跳到 L105去执行了。那么我们今天就来确定到底是哪里出的错。
我们在 flash_erase() 函数中插入调试信息打印印：
那为什么会超时呢？是时序不对还是驱动不对？对于这个问题，我只好去查询NorFlash芯片的手册与电路原理图。
由上图可见，数据位16Bit，地址位23Bit=8MB，芯片选择脚CE连nGCS0。地址映射到0x00000000上，地址范围为0x000000-0x7FFFFF。
我们在查看 u-boot/board/flash.c 文件NorFlash驱动中看到，对NorFlash的写与擦除时都对一个地址进行访问，MEM_FLASH_ADDR1与MEM_FLASH_ADDR2，如下：
CFG_FLASH_BASE 在 include/configs/my2440.h 文件中定义为 0x00000000。
#define MEM_FLASH_ADDR1 (*(volatile u16 *)0x00000AAA)
#define MEM_FLASH_ADDR2
(*(volatile u16
*)0x00000554
) 查看原理图，得知NorFlash的芯片型号为：AM29LV160DB，此为对应的电子文档： Am29LV160DB.zip